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Texas Instruments CSD19536KCS MOSFET

訂 貨 號：CSD19536KCS      品牌：德州儀器_Texas Instruments

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
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Texas Instruments CSD19536KCS MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶體管，Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 259 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 3.2 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.2V
最小柵閾值電壓 2.1V
最大功率耗散 375 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 4.7mm
典型柵極電荷@Vgs 118 nC @ 10 V
長度 10.67mm
最高工作溫度 +175 °C
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無
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