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IXYS IXTP12N65X2 MOSFET

訂 貨 號(hào):IXTP12N65X2      品牌:IXYS/艾賽思

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
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IXYS IXTP12N65X2 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET,IXYS X2 類系列

與功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 類功率 MOSFET 系列可顯著減小電阻和柵極電荷,從而降低損耗并提高操作效率。 這些堅(jiān)固的設(shè)備包含本征二極管,適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用。 X2 類功率 MOSFET 提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括隔離類型,具有高達(dá) 120A(650V 時(shí))額定值。 典型應(yīng)用包括:直流-直流轉(zhuǎn)換器、交流和直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波、太陽(yáng)能逆變器、溫度和照明控制。

極低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷)
本質(zhì)整流器二極管
低本質(zhì)柵極電阻
低封裝電感
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝

MOSFET 晶體管,IXYS

IXYS 的一系列高級(jí)離散電源 MOSFET 設(shè)備


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 12 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-220AB
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 300 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 180 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
寬度 16mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 17.7 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 10.66mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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