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Infineon IPD33CN10NGBUMA1 MOSFET

訂貨號：IPD33CN10NGBUMA1 品牌：英飛凌_Infineon

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MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	27 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	35 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	58 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	6.223mm
典型柵極電荷@Vgs	18 nC @ 10 V
長度	6.73mm
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+175 °C

暫無

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