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Infineon BSC009NE2LSATMA1 MOSFET

訂 貨 號：BSC009NE2LSATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

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Infineon BSC009NE2LSATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon OptiMOS? 功率 MOSFET 系列

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應用，在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調(diào)節(jié)標準的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增強模式
符合汽車 AEC Q101 規(guī)格
MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色封裝（無鉛）
超低 Rds(on)

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 100 A
最大漏源電壓 25 V
封裝類型 TSDSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 900 μΩ
通道模式 增強
最大功率耗散 96 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 5.35mm
典型柵極電荷@Vgs 72 nC @ 10 V
長度 6.1mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
暫無
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