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IXYS IXFB82N60Q3 MOSFET

訂 貨 號:IXFB82N60Q3      品牌:IXYS/艾賽思

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

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IXYS IXFB82N60Q3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Q3 系列

HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用,可提供帶有卓越強(qiáng)度的低柵極電荷。 該設(shè)備包含一個快速本質(zhì)二極管且提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括隔離類型,帶有額定值高達(dá) 1100V 和 70A。 典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器、開關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。

快速本質(zhì)整流器二極管
低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷)
低本質(zhì)柵極電阻
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
低封裝電感
高功率密度

MOSFET 晶體管,IXYS

IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設(shè)備


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 82 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 PLUS264
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 75 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 6.5V
最大功率耗散 1.56 kW
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 5.31mm
典型柵極電荷@Vgs 275 nC @ 10 V
長度 20.29mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
暫無
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