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Infineon P 通道小信號晶體管采用無鉛引線電鍍。MOSFET 的漏電流和漏-源電壓分別為 -1.1 A 和 -60V。超低電阻值。工作溫度 -55 °C 至 150 °C。
表面貼裝技術(shù)
邏輯電平可用性
易于連接到微控制器裝置 (MCU)
快速切換
雪崩耐量高
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 1.1 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | SOT-223 |
安裝類型 | 表面貼裝 |