the Infineon coolmos 是一項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術、它根據超接線( sj )原理設計、由 Infineon 技術開創。
超快主體二極管
低柵極電荷
同類杰出的反向恢復費用 (qrr)
改進的 mosfet 反向二極管 dv/dt 和 dif/ 堅固性
最低 fomrds(on) *qg 和 rds(on) *eoss
smd 和總諧波封裝中杰出的 rds (接通
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 12 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | TO-220 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 210 mo |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |