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此款英飛凌 cool mos mosfet 采用全新的創(chuàng)新高電壓技術、并具有高峰值電流容量 Peak Infineon t1000 可提供高峰
它具有超低柵極電荷
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 2 A |
最大漏源電壓 | 800 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 2.7. Ω |
最大柵閾值電壓 | 3.9V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |