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Infineon mos ? P7 系列的設(shè)計為 950V 超級連接技術(shù)設(shè)定了新的基準(zhǔn),它將杰出的性能與最先進的易用性結(jié)合在一起,這是由英飛凌 18 年來領(lǐng)先的超級連接技術(shù)創(chuàng)新所產(chǎn)生的。
完全優(yōu)化的產(chǎn)品組合
杰出的 cool mos ?品質(zhì)和
集成齊納二極管 esd 保護
同類杰出的 fom rds (接通) * eoss
減少了 qg 、 ciss 和 coss
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 17 A |
最大漏源電壓 | 800 V |
封裝類型 | Pg 至 220 fullpak - 窄引線 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.28. Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.5V |
晶體管材料 | 硅 |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |