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訂 貨 號(hào):IPD90N03S4L02ATMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列節(jié)能 MOSFET 晶體管,可減少 CO2 并采用電力驅(qū)動(dòng)。 新的 OptiMOS? -T2 產(chǎn)品系列擴(kuò)展了現(xiàn)有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。
OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過(guò)計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增強(qiáng)模式
AEC 合格
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn))
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 90 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類(lèi)型 | DPAK (TO-252) |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 2.6 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.2V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 136 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -16 V、+16 V |
長(zhǎng)度 | 6.5mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 110 nC @ 10 V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 6.22mm |