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此 Infineon 600V cool mos P7 超結(jié) mosfet 可在設(shè)計過程中繼續(xù)兼顧高效率和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos ? 7th 系列平臺固有的低柵極電荷 (qg) 確保了其高效率。
它具有堅固的主體二極管
集成式設(shè)計可降低 mosfet 振蕩靈敏度
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 12 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | To - 220 fullpak |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.28. Ω |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |