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Infineon ? 小型信號晶體管 p 通道增強模式場效應晶體管（場效應晶體管），具有 20V 最大漏極源電壓，采用了采用了第 23 封裝類型。英飛凌公司的高度創(chuàng)新的最佳 mos ?系列產(chǎn)品包括 p 溝道功率高的功率半導體器件。這些產(chǎn)品始終滿足電源系統(tǒng)設計關鍵規(guī)格中高品質(zhì)和性能要求、如通態(tài)電阻和品質(zhì)因數(shù)特性。BSS84P 是 p 通道增強模式 mosfet 、采用小型表面安裝封裝、具有卓越的切換性能。此產(chǎn)品特別適用于低電壓、低電流應用。

增強型模式
邏輯電平
雪崩等級
快速切換
dv/dt 額定值
無鉛引線電鍍