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Infineon 1B 1200 v / 45 mΩ 六包裝模塊采用 coolsic mosfet 、 ntc 和 presfit 觸點技術(shù)。
高電流密度
同類最佳的開關(guān)和傳導損耗
低電感設計
集成 NTC 溫度傳感器
presfit 觸點技術(shù)
最高效率、可減少冷卻工作量
更高頻率操作
功率密度增加
優(yōu)化客戶的開發(fā)周期時間和成本
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 25 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類型 | Ag-ag-ag2e-2 EASY2BM |
安裝類型 | 螺絲安裝 |
最大漏源電阻值 | 0.066 Ω |
最大柵閾值電壓 | 20V |
每片芯片元件數(shù)目 | 12 |