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Infineon IPD80R2K0P7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPD80R2K0P7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Infineon IPD80R2K0P7ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

the Infineon 800V cool mos ? P7 超結(jié) mosfet 系列可完全滿足市場對性能、易用性和性價(jià)比的需求,是低功率開關(guān)電源應(yīng)用的理想選擇。它主要用于回飛應(yīng)用、包括適配器和充電器、 led 驅(qū)動器、音頻開關(guān)電源、輔助和工業(yè)電源。與之前的產(chǎn)品以及在典型回飛應(yīng)用中經(jīng)過測試的競爭產(chǎn)品相比、此新產(chǎn)品系列可提供高達(dá) 0.6% 的效率增益和 2°c 至 8°c 的更低 mosfet 溫度。它還可通過更低的切換損耗和更好的 dak rds (接通)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的功率密度設(shè)計(jì)。

集成齊納二極管 esd 保護(hù)、高達(dá) 2 類( hbm )
杰出的質(zhì)量和
完全優(yōu)化的產(chǎn)品組合


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 3 A
最大漏源電壓 800 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 2. Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.5V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無
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