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Infineon BSR202NL6327HTSA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):BSR202NL6327HTSA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
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Infineon BSR202NL6327HTSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon OptiMOS?2 功率 MOSFET 系列

Infineon OptiMOS?2 N 通道系列提供行業(yè)最低電壓接地電阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多應(yīng)用,包括高頻電信、數(shù)據(jù)通信、太陽(yáng)能、低電壓驅(qū)動(dòng)器和服務(wù)器電源。 OptiMOS 2 產(chǎn)品系列具有 20V 及以上范圍,且提供不同的封裝類型可供選擇。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 3.8 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 SOT-346 (SC-59)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 33 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.2V
最小柵閾值電壓 0.7V
最大功率耗散 500 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 -12 V、+12 V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V
長(zhǎng)度 3mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 1.6mm
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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