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Infineon IPD60N10S4L12ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPD60N10S4L12ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Infineon IPD60N10S4L12ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon mosfet 設(shè)計又聞名于“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設(shè)備。“場效應(yīng)”代表設(shè)備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。

綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標準)
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 標準
用于汽車應(yīng)用的功率 mosfet


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 60 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 Pg - TO252 - 3 - 313
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.012. Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.1V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料
暫無
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