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Infineon IPB70P04P409ATMA1 MOSFET

訂貨號：IPB70P04P409ATMA1 品牌：英飛凌_Infineon

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RoHS：符合

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Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET設計用于提供增強功能，以滿足高質量性能要求。功能包括超低開關損耗，通態(tài)電阻，雪崩額定值以及通過AEC認證的汽車解決方案。應用包括DC-DC，電機控制，汽車和eMobility。

增強模式
耐雪崩等級
低切換和傳導功率損耗
無鉛引線電鍍；符合RoHS標準
標準封裝
OptiMOS?P通道系列：溫度范圍為-55°C至+175°C

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	72 A
最大漏源電壓	40 V
封裝類型	D2PAK (TO-263)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	9.4 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	75 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	9.25mm
晶體管材料	Si
典型柵極電荷@Vgs	54 nC @ 10 V
長度	10mm
最高工作溫度	+175 °C

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