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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi):

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IXYS IXFN170N65X2 MOSFET

訂 貨 號(hào):IXFN170N65X2      品牌:IXYS/艾賽思

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話(huà):
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
店鋪主頁(yè)

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IXYS IXFN170N65X2 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

低 RDS(接通)和 Qg
快速體二極管
dv/dt 穩(wěn)定
雪崩等級(jí)
低封裝電感
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝
諧振模式電源
高強(qiáng)度放電 (HID) 燈鎮(zhèn)流器
交流和直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
機(jī)器人和伺服控制
電池充電器
3 級(jí)太陽(yáng)能逆變器
LED 照明
無(wú)人機(jī) (UAV)
效率更高
高功率密度
安裝簡(jiǎn)便
節(jié)省空間


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 170 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類(lèi)型 SOT227
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 13 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3.5V
最大功率耗散 1.17 kW
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 38.23mm
典型柵極電荷@Vgs 434 @ 10 V nC
寬度 25.07mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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