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Infineon IPD30N06S4L23ATMA2 MOSFET

訂 貨 號:IPD30N06S4L23ATMA2      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPD30N06S4L23ATMA2 MOSFET
產品詳細信息

Infineon 55V 的 60V n 通道汽車功率 mosfet 系列范圍廣泛、它采用最新的最佳 mosfet 技術、封裝范圍廣、 rds (接通)范圍從 1.5m? m 2 到 160m?The 2 ;采用 OptiMOS5 技術的新型 60V 汽車 mosfet 系列可提供更大功率和領先性能。優化用于驅動器和功率轉換應用的時候、可減少傳導損耗。SSO8 ( 5x6mm2 )和 S3O8 ( 3x3mm2 )更小的無引線封裝與 dak 區域相比、可節省 50% 以上的空間。

N 通道 - 增強模式
符合 aec Q101 標準
MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產品(符合 RoHS 標準)
100% 雪崩測試
60V 時全球最低 rds (接通)
最高電流容量
開關和傳導功率損耗最低、可實現最高熱效率
具有卓越質量和可靠性的堅固封裝
經過優化的總柵極電荷可實現更小的驅動器輸出級


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 30 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 PG-TO252
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.023 o
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 16V
每片芯片元件數目 2
暫無
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