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Infineon BSC014N04LSATMA1 MOSFET

訂 貨 號:BSC014N04LSATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

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Infineon BSC014N04LSATMA1 MOSFET
產品詳細信息

新的 40V 和 60V 產品系列,不僅具有業內最低的 R DS(on),還具有完美的切換行為,適用于快速切換應用。新的 40V 和 60V 產品系列,通過采用高級薄芯片技術,使 R DS(on) 和品質因數 (R DS(on) x Q g) 較可替代器件分別下降 15% 和 31%,不僅具有業內最低的 R DS(on),還具有完美的切換行為,適用于快速切換應用。通過采用高級薄芯片技術,使 R DS(on) 和品質因數 (R DS(on) x Q g) 較可替代器件分別下降 15% 和 31%

經優化可用于同步整流
R DS(on) 較可替代設備減少 15%
FOM 較類似器件提高 31%
集成式肖特基二極管
無鹵
優點:
最高系統效率
所需并聯減少
功率密度增加
系統成本降低
非常低的電壓過沖
目標應用:
同步整流
太陽能微型變頻器
隔離直流-直流轉換器
電動機控制
Or-ing 開關


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 100 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 TDSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 1.9 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 96 W
晶體管配置
最大柵源電壓 20 V
長度 5.15mm
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 61 nC @ 10 V
寬度 6.15mm
每片芯片元件數目 1
暫無
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