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Texas Instruments CSD87335Q3DT MOSFET

訂 貨 號:CSD87335Q3DT      品牌:德州儀器_Texas Instruments

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Texas Instruments CSD87335Q3DT MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

半橋 NexFET 電源塊

MOSFET 晶體管,Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 70 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 LSON-CLIP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.2V
最小柵閾值電壓 0.75V
最大功率耗散 6 W
晶體管配置 雙基座
最大柵源電壓 -8 V,+10 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 3.4mm
典型柵極電荷@Vgs 11 nC,19 nC
每片芯片元件數(shù)目 2
寬度 3.4mm
暫無
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