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Infineon IMZA65R027M1HXKSA1 MOSFET

訂 貨 號：IMZA65R027M1HXKSA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

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Infineon IMZA65R027M1HXKSA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon 具有 SiC MOSFET ，以 TO247 4 引腳封裝提供可靠且經濟高效的性能。650 V CoolSiC MOSFET 提供性能，可靠性和易用性的獨特組合。它適用于高溫和惡劣操作，可實現最高效的簡化和經濟部署。MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝，可減少對柵極電路的寄生源電感效應，實現更快的切換和更高的效率。

低電容
優(yōu)化了高電流時的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強的耐雪崩能力
可與標準驅動程序一起使用


屬性 數值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 59 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 PG-TO247
安裝類型 通孔
引腳數目 4
最大漏源電阻值 0.034 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5.7V
晶體管材料 硅
每片芯片元件數目 1
暫無
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