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Fairchild Semiconductor FDD6N50TM MOSFET

訂貨號：FDD6N50TM 品牌：IRC

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RoHS：符合

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Fairchild Semiconductor 提供的解決方案可解決汽車市場的復(fù)雜難題，具有嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量控制、安全和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	6 A
最大漏源電壓	500 V
封裝類型	DPAK
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	900 mΩ
通道模式	增強
最小柵閾值電壓	3V
最大功率耗散	89 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si
寬度	6.22mm
典型柵極電荷@Vgs	12.8 nC @ 10 V
長度	6.73mm
最高工作溫度	+150 °C

暫無

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