on ON Semiconductor 功率 mosfet 以 60 安培和 1200 伏的電流運行。它可用于不間斷電源、直流或直流轉換器、升壓變頻器。
40mO 漏極到電源接通電阻
超低柵極電荷
通過 100% 雪崩測試
無鉛
符合 RoHS
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 60 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.04 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.3V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | SiC |
