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Infineon IPB017N10N5ATMA1 MOSFET

訂貨號(hào)：IPB017N10N5ATMA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場(chǎng) 價(jià)：￥0.00 品牌商：￥0.00

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英飛凌 IPB017N10N5ATMA1 MOSFET

產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon IPB017N10N5 是 optiMOS 100V 功率 MOSFET ，采用 D2PAK 7 引腳封裝， RDS (接通) 低 22%。它專門(mén)設(shè)計(jì)用于電信塊中的同步整流，包括 OR-ING ，熱插拔和電池保護(hù)，以及用于服務(wù)器電源應(yīng)用。

經(jīng)優(yōu)化可用于同步整流
特別適用于高切換頻率
輸出電容下降多達(dá) 44%

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	180 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	TO-263
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	7 + Tab
最大漏源電阻值	2.2 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	3.8V
最小柵閾值電壓	2.2V
最大功率耗散	375 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	20 V
長(zhǎng)度	10.31mm
寬度	11.05mm
最高工作溫度	+175 °C
典型柵極電荷@Vgs	168 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目	1

暫無(wú)

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