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onsemi FDP2572 MOSFET

訂 貨 號(hào):FDP2572      品牌:Onsemi/安森美

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
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主營(yíng)產(chǎn)品:
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onsemi FDP2572 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,高達(dá) 9.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過(guò)沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 4 A
最大漏源電壓 150 V
封裝類型 TO-220AB
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 54 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 135 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 26 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 10.67mm
最高工作溫度 +175 °C
寬度 4.83mm
晶體管材料 Si
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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