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Microchip VP0109N3-G MOSFET

訂 貨 號:VP0109N3-G      品牌:Microchip

庫存數量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

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Microchip VP0109N3-G MOSFET
產品詳細信息

Microchip 增強型 (常閉) 晶體管采用垂直 DMOS 結構和 Supertex 久經考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數。所有 MOS 結構的特性確保該設備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 特別適用于需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速切換速度的各種切換和放大應用。

無次級擊穿
低功率驅動要求
易于并聯
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩定性
一體式源極-漏極二極管
高輸入阻抗和高增益


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 250 mA
最大漏源電壓 90 V
封裝類型 TO-92
安裝類型 通孔
引腳數目 3
最大漏源電阻值 8 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.5V
暫無
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