Vishay IRF820AS 是 N 溝道功率 MOSFET ，漏極至源電壓 (VDS) 為 500V。 柵極至源電壓 (VGS) 為 30V。它采用 D2PAK (TO-263) 和 I2PAK (TO-262) 封裝。它提供漏極到源電阻 (RDS)。 10 VGS 時為 3 歐姆。最大漏極電流 17A。
低柵極電荷 Qg 可實現簡單的驅動要求
改進的門，雪崩和動態 dV/dt 堅固性
完全特征化的電容和雪崩電壓和電流
