DiodesZetex 生產的 N 溝道增強模式 MOSFET，旨在最大限度地減小導通電阻 (RDS(ON)) ，同時保持卓越的開關性能，是高效電源管理應用的理想之選。這種環保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 U-DFN1006-3 封裝且具有 0.6mm 的高度，非常適合于薄型應用。具有切換速度快和效率高的特點。100% 無鉗位電感開關，確保更加可靠而穩健的終端應用
最大漏極-源極電壓 20 V 最大柵極-源極電壓 ±12 V 在 PCB 上的占地尺寸 4mm^2 柵極閾值電壓低 提供柵極 ESD 保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 1.3A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | U-DFN1006-6 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 0.7 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
