Vishay omm e 系列 power mosfet 的 fast 主體二極管采用 4th e 系列技術。它減少了切換和傳導損耗。
雪崩能量等級（ uis ）
低品質因數 (FOM) Ron x Qg
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 25 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.125 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
