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Vishay TrenchFET Gen IV P 通道功率 MOSFET 用于負(fù)載開關(guān),電路保護(hù)和電動機(jī)驅(qū)動器控制。
經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 3 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | SOT-23 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 11. Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
晶體管材料 | Si |