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Infineon IQE065N10NM5CGATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IQE065N10NM5CGATMA1      品牌:GAT

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Infineon IQE065N10NM5CGATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

英飛凌 PQFN 3.3x3.3 封裝的 OptiMOSTM 5 100 V 源極底置功能具有 100 V 電壓和 6.5 m Ω 的低導(dǎo)通電阻。它具有多種優(yōu)勢,如熱能力增強(qiáng)、功率密度大或可改善布局。此外,高效率更、低有源冷卻要求和有效的熱管理布局都是系統(tǒng)級的優(yōu)勢。

印刷電路板損耗降低
可實(shí)現(xiàn)最高功率密度和性能


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 85 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 PQFN
安裝類型 表面貼裝
暫無
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