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訂 貨 號(hào):IPD78CN10NGBUMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥10.00 品 牌 商:¥10.00
Infineon IPD78CN10NGBUMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息
Infineon OptiMOS?2 N 通道系列提供行業(yè)最低電壓接地電阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多應(yīng)用,包括高頻電信、數(shù)據(jù)通信、太陽(yáng)能、低電壓驅(qū)動(dòng)器和服務(wù)器電源。 OptiMOS 2 產(chǎn)品系列具有 20V 及以上范圍,且提供不同的封裝類型可供選擇。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 13 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | PG-TO-252 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 80 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 31 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +175 °C |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 6.22mm |
典型柵極電荷@Vgs | 8 nC @ 10 V |
長(zhǎng)度 | 6.73mm |