Infineon IKW50N65EH5 是 650 V 高速硬切換 IGBT ，與 Rapid SI-DIODE 技術一起使用。它具有更高的功率密度設計和低 COES/EOSS。
因子 2.5 ，下 Qg
因素 2 減少切換損耗
VCEsat 降低 200mV
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 80 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | 30V |
| 晶體管數 | 1 |
| 最大功率耗散 | 275 W |
| 封裝類型 | PG-TO247 |
| 配置 | 單 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
