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　　Cellon Peripheral Circuit（以下簡(jiǎn)稱Cell on Peri）構(gòu)造由美光（Micron）與英特爾（Intel）陣營(yíng)開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞（Cell）數(shù)組堆棧在外圍電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的芯片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子（Samsung Electronics）已提出類似此一構(gòu)造的COP（Cell Over Peri）方案，將有利整合組件廠（Integrated Device Manufacturer；IDM）三星、東芝（Toshiba）提升其3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力。

　　然而，Cell on Peri構(gòu)造將原先在不同制程制作的3D NAND Flash與邏輯電路結(jié)合于單一制程，雖有其優(yōu)點(diǎn)，但尚存諸多課題，包括相關(guān)產(chǎn)線與設(shè)備需延伸、擴(kuò)大，將導(dǎo)致業(yè)者的資本支出增加，且3D NAND Flash經(jīng)高溫制程后，恐因高溫而破壞下方CMOS電路，將影響良率。

　　由于三星同時(shí)生產(chǎn)3D NAND Flash與邏輯電路，如Cell on Peri構(gòu)造能克服良率與成本等問題，可望成為其爭(zhēng)取蘋果（Apple）應(yīng)用處理器（Application Processor；AP）訂單的優(yōu)勢(shì)，而東芝半導(dǎo)體事業(yè)涵蓋3D NAND Flash與系統(tǒng)LSI，美光與英特爾陣營(yíng)亦可結(jié)合雙方3D NAND Flash與CPU，運(yùn)用Cell on Peri構(gòu)造，有助其提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力。

　　另外，3D NAND Flash若引進(jìn)Cell on Peri構(gòu)造，由于在形成外圍區(qū)域后，需經(jīng)過化學(xué)機(jī)械研磨（Chemical Mechanical Polishing；CMP）制程使之平坦化，才能于其上形成3D NAND Flash晶胞數(shù)組，將使得CMP制程的重要性提高。

　　Cell on Peri構(gòu)造有利采3D NAND Flash解決方案縮減芯片面積

　　Cellon Peri系由美光與英特爾陣營(yíng)所開發(fā)，其與Peri under Cell是相同概念，意味先形成外圍（Peripheral）區(qū)域后，再堆棧晶胞，也就是運(yùn)用將3D NAND Flash晶胞數(shù)組堆棧在外圍電路CMOS邏輯IC上的方式，縮減采3D NAND Flash解決方案的芯片面積。

　　具體而言，Cell on Peri構(gòu)造將字符線譯碼電路與感測(cè)放大器（Sense Amplifier）電路置于下層，且將3D NAND Flash晶胞數(shù)組置于上層。

　　為此，Cell on Peri構(gòu)造需增加約4層的金屬配線，其中2層金屬配線位在3D NAND Flash晶胞數(shù)組下方，用來鏈接上方3D NAND Flash晶胞數(shù)組及下方CMOS電路。

　　至于另2層金屬配線，則在3D NAND Flash晶胞數(shù)組上方，分別為位線與電源總線（Bus）。

　　美光與英特爾陣營(yíng)于3D NAND Flash所開發(fā)的Cell on Peri構(gòu)造

　　數(shù)據(jù)源：美光、英特爾、南韓NH投資證券

　　換個(gè)方式比喻，Cell on Peri構(gòu)造如同將商店街設(shè)于住宅下方的住商混合大樓，有利于節(jié)省土地面積，反觀既有構(gòu)造則如同住宅與商業(yè)用途各自分開的兩棟大樓，需較大土地面積。

　　Cell on Peri構(gòu)造有利采3D NAND Flash解決方案縮減芯片面積示意圖

　　數(shù)據(jù)源：南韓NH投資證券

　　由于外圍區(qū)域占整體3D NAND Flash約30%面積，將3D NAND Flash晶胞數(shù)組堆棧在外圍電路之上，有助于采用3D NAND Flash解決方案縮減芯片面積