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NXP 恩智浦A2G22S190-01S 1800-2200 MHz, 36 W Avg, 48 V GaN Data Sheet

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NXP 恩智浦A2G22S190-01S 1800-2200 MHz, 36 W Avg, 48 V GaN Data Sheet
A2G22S190--01SR3 1 RF Device Data NXP Semiconductors RF Power GaN Transistor This 36 W RF power GaN transistor is designed for cellular base
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