這些 Semikron 四 IGBT 模塊的系列配置使其成為需要高性能 3 級拓?fù)鋺?yīng)用的完美解決方案。 這些緊湊型印刷電路板安裝 SEMITOP 3 模塊具有單孔固定功能和極佳的導(dǎo)熱性,并且采用 Trench IGBT 技術(shù)。 典型應(yīng)用包括 3 級直流-交流逆變器和 UPS 電源。
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 151 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 600 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
配置 | 串行 |
封裝類型 | SEMITOP4 |
安裝類型 | 通孔 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 70 |
晶體管配置 | 串行 |
尺寸 | 55 x 60.25 x 15.08mm |